该专利的创新之处在于致力于将异质结和TVS二极管整合于栅极沟槽中，这一设计极大地提高了半导体器件的性能和可靠性。传统的半导体结构在面对电压瞬变或过载时，容易发生失效，而飞锃的这一新结构则能够更有效地抑制这些问题，从而显著提升产品的耐用性和安全性。这一 ...

飞锃半导体（上海）有限公司产品市场副总监袁建：飞锃碳化硅器件在新能源市场的应用 ...