据劳伦斯利弗莫尔国家实验室的研究团队介绍，相比现有EUV光刻系统所采用的CO2激光器，BAT 激光器可以将 EUV能源效率提高约 10 倍。这可能会助力未来“beyond EUV”光刻系统能够生产更小、更强大、制造速度更快、耗电量更少的芯片。

1月6日消息，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥 （BAT） 激光器，旨在为极紫外 （EUV） 光刻技术的下一步发展奠定基础。该激光器的效率号称是目前ASML EUV光刻机中使用的二氧化碳（CO2）激光器的 10 ...

1月6日消息，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥 （BAT） 激光器，旨在为极紫外 （EUV） 光刻技术的下一步发展奠定基础。该激光器的效率号称是目前ASML EUV光刻机中使用的二氧化碳（CO2）激光器的 10 ...

近日，作为ASML CEO的富凯在接受荷兰《新鹿特丹报》（NRC）采访时指出，由于美国禁止向中国出口EUV（极紫外）光刻设备，中国芯片制造技术与英特尔、台积电和三星等行业巨头相比，将落后西方10到15年。

虽然台积电和中芯国际目前市值存在巨大差异，台积电目前的市值随着近日的大涨已经突破了1万亿美元，而中芯国际目前的A股市值仅为约1000亿美元不到，但王国辉认为，中芯国际可以利用其优势在未来与台积电持平： ...

之前ASML还曾对自家的2纳米EUV光刻机信心满满，但是随着市场逐渐明朗，如今它正陷入窘境，那就是第一代EUV光刻机和最新的2纳米EUV光刻机都面临无 ...

近日，芯片制造领域传来重大消息：Rapidus开始安装ASML EUV光刻机，成为首家接收EUV光刻设备的日本半导体公司。这一举措无疑在全球芯片产业中掀起了波澜。 Rapidus安装首台ASML EUV光刻机 ...

柯恩指出，EUV曝光机堪称现代工程奇迹，它有两点令人印象深刻：一是 ASML与德国光学公司蔡司合作研发的镜片，若将镜片放大到与整个德国同等大小，整个镜面的误差不会超过1公厘；二是EUV的精准度之高，相当于从房屋发射雷射光束，并在月球上打乒乓球。

中国也目前也在积极聚焦将硅光子学，作为摆脱 ASML 技术束缚的一种潜在途径。去年9月，中国湖北九峰山实验室 (JFS)在硅光子集成领域取得里程碑式突破性进展——成功点亮集成到硅基芯片内部的激光光源，这也是该项技术在国内的首次成功实现。

1984年4月1日愚人节这一天，飞利浦和跟荷兰的一家小公司合资，成了一家新公司。新公司的缩写叫ALS，跟渐冻症的缩写是一样的。一直到1996年，这家公司改名叫ASML。 也就是现在，大名鼎鼎的ASML。 今年，ASML的High NA ...

美国研发新型激光技术。美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发了一种名为大孔径铥（BAT）激光器的技术，旨在为极紫外（EUV）光刻技术的进一步发展奠定基础。这种新型激光器的效率据称是目前ASML ...

之前ASML还曾对自家的2纳米EUV光刻机信心满满，但是随着市场逐渐明朗，如今它正陷入窘境，那就是第一代EUV光刻机和最新的2纳米EUV光刻机都面临无人购买的境况，而对EUV光刻机有强烈需求的中国又不许卖。 ASML在2024年量产2纳米EUV光刻机的时候，曾以为三大客户Intel、三星和台积电将会迅速展开争夺，刚开始的时候确实也是如此，甚至美国还强行要求ASML优先将2024年量产的10台2纳米 ...