突破性激光技术或将重塑EUV光刻系统，光刻机板块掀起涨停潮，半导体产业链迎来新机遇。 今日，光刻机(胶)板块表现活跃。截至发稿，百傲化学、茂莱光学涨超7%，永新光学、科玛科技、晶方科技、波长电光、张江高科跟涨。

近日，新加坡毕盛资产管理(APS Asset Management, “APS”) 的创始人兼联席首席投资官王国辉(Wong Kok ...

虽然台积电和中芯国际目前市值存在巨大差异，台积电目前的市值随着近日的大涨已经突破了1万亿美元，而中芯国际目前的A股市值仅为约1000亿美元不到，但王国辉认为，中芯国际可以利用其优势在未来与台积电持平： ...

虽然台积电和中芯国际目前市值存在巨大差异，台积电目前的市值随着近日的大涨已经突破了1万亿美元，而中芯国际目前的A股市值仅为约1000亿美元不到，但王国辉认为，中芯国际可以利用其优势在未来与台积电持平： ...

1月6日消息，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥 （BAT） 激光器，旨在为极紫外 （EUV） 光刻技术的下一步发展奠定基础。该激光器的效率号称是目前ASML EUV光刻机中使用的二氧化碳（CO2）激光器的 10 ...

据劳伦斯利弗莫尔国家实验室的研究团队介绍，相比现有EUV光刻系统所采用的CO2激光器，BAT 激光器可以将 EUV能源效率提高约 10 倍。这可能会助力未来“beyond EUV”光刻系统能够生产更小、更强大、制造速度更快、耗电量更少的芯片。

1月6日消息，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥 （BAT） 激光器，旨在为极紫外 （EUV） 光刻技术的下一步发展奠定基础。该激光器的效率号称是目前ASML EUV光刻机中使用的二氧化碳（CO2）激光器的 10 ...

在半导体制造领域，极紫外光刻（EUV）技术一直是推动芯片制造先进工艺发展的关键。然而，当前的EUV光刻系统面临着能耗高、成本昂贵等问题。近日，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布正在研发一种基于铥元素的拍瓦级（petawatt-class）铥 ...

近日，作为ASML CEO的富凯在接受荷兰《新鹿特丹报》（NRC）采访时指出，由于美国禁止向中国出口EUV（极紫外）光刻设备，中国芯片制造技术与英特尔、台积电和三星等行业巨头相比，将落后西方10到15年。

制造尖端芯片不可或缺的EUV（极紫外）光刻设备即将登陆日本。日本Rapidus（位于东京千代田区）将于2024年内在千岁工厂 (北海道千岁市)引进，这将是日本国内首次引进。将由世界上唯一制造EUV光刻设备的荷兰阿斯麦 (ASML)提供。

美国研发新型激光技术。美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发了一种名为大孔径铥（BAT）激光器的技术，旨在为极紫外（EUV）光刻技术的进一步发展奠定基础。这种新型激光器的效率据称是目前ASML ...

柯恩指出，EUV曝光机堪称现代工程奇迹，它有两点令人印象深刻：一是 ASML与德国光学公司蔡司合作研发的镜片，若将镜片放大到与整个德国同等大小，整个镜面的误差不会超过1公厘；二是EUV的精准度之高，相当于从房屋发射雷射光束，并在月球上打乒乓球。