过去几十年间，人口和经济活动的快速增长推动了全球能源消耗的稳步增长，并且预计这一趋势还将持续。这种增长是线下与线上活动共同作用的结果。因此，数据中心的快速扩张显著增加了全球电力需求。据估计，2022 年全球数据中心耗电量约为240-340 ...

Noise takes a leap forward in creating a comprehensive connected lifestyle ecosystem with its latest innovation, the Noise ...

AGNIT is one of the first start-ups incubated by the Gallium Nitride Ecosystem Enabling Centre and Incubator (GEECI), IISc’s ...

于是“我”决定转而帮助Ian研究GAN。距离NeurIPS 2014的提交截止日期只有一周了。“我们”决定全力以赴，应该能赶上提交一篇论文。 至于“我”个人的故事，GAN作为“我”的第一篇学术论文既是福也是祸。一位DeepMind的研究员曾开玩笑说， ...

YouTube sued Ganjingworld, alleging the video site has been 'automatically vacuuming up YouTube user channels and associated ...

The post Building collapses at Ramat Gan school heavily damaged from Houthi missile debris appeared first on The Times of ...

金融界2024年12月24日消息，国家知识产权局近期正式公布，江苏希尔半导体有限公司成功获得一项关于高耐压氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的专利，授权公告号为CN117423724B。该专利的申请日期为2023年12月，标志着国内在 ...

Shares of Navitas Semiconductor Corporation ( NVTS 22.55%) rocketed as much as 24.6% on Monday before settling into a 20.4% gain as of 2 p.m. EST. There wasn't any company-specific news out of Navitas ...

氮化镓技术在电动汽车领域的应用潜力在日益显现，研发热度不断上涨。近日，国外多家企业/机构向公众展示了“GaN上车”的最新研究成果： 12月19日，美国能源部（DOE）披露了桑迪亚国家实验室在车规级垂直氮化镓器件上取得了最新研究突破——他们展示了1200V GaN MOSFET，这种器件集成了二氧化铪（HfO2）栅介质，属业界首次。 此前，由于高泄漏和低带偏移的问题，行业普遍认为高κ栅极电介质与宽带 ...

该奖项主要表彰本年度碳化硅/氮化镓供应链中快速崛起的优秀企业，他们实现了国产第三代半导体材料、器件、模块和装备等环节技术的突围，并且在全球化道路上迈出坚实的步伐，提升中国第三代半导体的全球影响力。

GaN技术的变革性影响！过去几十年间，人口和经济活动的快速增长推动了全球能源消耗的稳步增长，预计这一趋势还将持续。这种增长是线下与线上活动共同作用的结果。数据中心的快速扩张显著增加了全球电力需求。据估计，2022年全球数据中心耗电量约为240-340 ...