IT之家 9 月 12 日消息，三星电子今日宣布，三星首款 1 太比特四层单元（QLC）第九代 V-NAND 已正式开始量产，而 1Tb TLC 产品已于今年 4 月开始量产。

四是低功耗设计(Low-Power Design)。 降低了驱动NAND存储单元所需的电压，只感测必要的位线(Bit Line)，数据读取功耗约分别下降了约30％、50％。 三星第九代QLC V-NAND闪存将首先用于消费电子产品，然后逐步在UFS、PC、服务器领域铺开。

近日，三星电子官方宣布已开始批量生产第九代QLC V-NAND闪存芯片，每个芯片的容量为1Tb（相当于128GB）。值得注意的是，仅在四个月前，三星才开始量产了同一代的TLC V-NAND闪存。这次的新产品采用了多项创新技术。

四是低功耗设计(Low-Power Design)。 降低了驱动NAND存储单元所需的电压，只感测必要的位线(Bit Line)，数据读取功耗约分别下降了约30％、50％。 三星第 ...

在科技创新不断推进的今天，存储技术依然是一项不可或缺的核心领域。近日，三星电子正式宣布其首款1太比特（1Tb）四层单元（QLC）第九代V-NAND闪存开始量产，这一里程碑式的事件不仅标志着三星在存储技术领域的又一次重大突破，也为整个行业的发展注入了新 ...

三星此前已经宣布开始量产第9代V-NAND闪存，首批提供的是容量为1Tb的TLC闪存，进一步增强了自身在闪存市场的竞争力。现在三星宣布启动第9代V-NAND闪存当中1Tb容量的QLC闪存，进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。

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三星最新的QLC V-NAND综合采用了多项突破性技术，其中通道孔蚀刻技术能基于双堆栈架构实现最高单元层数 推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND，为各种AI应用提供优质内存解决方案 深圳2024年9月12日 /美通社/ -- ...

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