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美国实验室研发新型激光技术,有望大幅提升芯片制造效率
美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)正在研发一种基于铥元素的拍瓦(petawatt)级激光技术,该技术有望取代当前极紫外光刻(EUV)工具中使用的二氧化碳 激光器 ,并将光源效率提升约十倍。这一突破可能为新一代“超越 EUV”的光刻系统铺平道路,从而以更快的速度和更低的能耗制造芯片。
6 天
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消息称三星电子 2nm 制程初始良率优于上代,获韩企 NPU 代工订单
IT之家 12 月 31 日消息,韩媒 ChusunBiz 今日表示,三星电子正对下代 2nm 先进制程进行量产测试。报道指与上代开发进程十分坎坷的 3nm 相比,2nm 制程的初始良率超出了预期。 三星电子从本季度开始将 2nm ...
6 天
三星电子2nm制程良率大幅提升,AI代工订单接踵而至!
近日,来自韩国的消息传来,三星电子在2nm制程的量产测试中表现优秀,良率远超预期。这一进展无疑是给巨头们带来了福音,相较于3nm制程的开发挫折,2nm显得顺利得多!从本季度开始,三星已经将2nm制造设备转移至位于韩国京畿道的华城市S3代工生产线,计划在2025年上半年启动试生产,并力争在明年内实现正式上线。 不仅如此,三星电子的美国得州泰勒晶圆厂也将在《CHIPS》法案的支持下,聚焦开发2nm制程 ...
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