随着 MOSFET 栅极长度的减小，热载流子诱发的退化已成为重要的可靠性问题之一。在热载流子效应中，载流子被通道电场加速并被困在氧化物中。这些被捕获的电荷会引起测量器件参数的时间相关位移，例如阈值电压 (VTH)、跨导 (GM)以及线性 (IDLIN ...

要问今年最大的热点是什么？AI说第二，没人敢说自己是第一，这年头谁若是没用过ChatGPT提升下自己的生产力，都不敢称自己是合格的打工人。不仅是个人的日常工作，生成式AI更是为许多行业带来了突破性的变革，近年来其使用量呈指数级增长。因此，全球领先的科 ...

盖世汽车讯 9月19日，半导体制造商罗姆（ROHM Semiconductor）宣布推出N沟道MOSFET - RF9x120BKFRA / RQ3xxx0BxFRA / RD3x0xxBKHRB - ...

调查表明，SSCB 是一种比传统保险丝更有效的解决方案。与保险丝和接触器不同，SSCB 利用半导体以电子方式中断电流。这消除了电弧并提供更快的响应时间，从而限制了故障事件期间流动的电流量。

此外，Rohm通过在DFN2020Y7LSAA封装中采用可润湿侧翼技术和在TO-252封装中采用鸥翼引线，进一步提高了安装可靠性。 新款MOSFET的推出，标志着罗姆在应对汽车市场日益增长的安全性和经济性需求方面迈出了坚实的一步。尤其是对于那些寻求提高车辆性能、延长电池 ...

2024年9月23日，芯联集成披露接待调研公告，公司于9月20日接待浙商证券、杭州久盈、立元集团3家机构调研。公告显示，芯联集成参与本次接待的人员共2人，为董事、总经理赵奇，财务负责人、董事会秘书王韦。调研接待地点为公司会议室。据了解，芯联集成在2024年上半年的运营状况显示营业收入为28.80亿元，同比增长14.27%，但 ...

随着MOSFET栅极长度的减小，热载流子诱发的退化已成为重要的可靠性问题之一··· 随着MOSFET栅极长度的减小，热载流子诱发的退化已成为重要的可靠性问题之一。在热载流子效应中，载流子被通道电场加速并被困在氧化物中。这些被捕获的电荷会引起测量 ...

【斯达半导：预计下半年车规级SiC MOSFET芯片将快速放量】财联社9月13日电，斯达半导董事长兼总经理沈华今天在2024年半年度业绩说明会上称，公司自主的车规级SiC ...

盖世汽车讯 据外媒报道，美格纳半导体公司（Magnachip Semiconductor）宣布推出四款新型40V MXT MV MOSFET，采用Power Dual Flat No-Lead（PDFN）33封装，适用于汽车应用。

9月24日下午，Resonac（原昭和电工）官网宣布，他们与Soitec签订了联合开发协议，双方将共同开发8英寸SiC——Resonac将在8英寸衬底制造中采用Soitec的SmartSiC™技术，最终提高8英寸碳化硅外延的生产效率，并实现碳化硅外延 ...

得益于更高晶胞单位密度的先进工艺和优化的晶胞结构，MOSFET在导通电阻和栅极电荷特性方面能做到更好的平衡，降低变换器的损耗和器件温升，提升变换效率。 “金辑奖”由盖世汽车发起，旨在“发现好公司，推广好技术，成就汽车人”， 并围绕着“中国 ...

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