随着 MOSFET 栅极长度的减小，热载流子诱发的退化已成为重要的可靠性问题之一。在热载流子效应中，载流子被通道电场加速并被困在氧化物中。这些被捕获的电荷会引起测量器件参数的时间相关位移，例如阈值电压 (VTH)、跨导 (GM)以及线性 (IDLIN ...

盖世汽车讯 9月19日，半导体制造商罗姆（ROHM Semiconductor）宣布推出N沟道MOSFET - RF9x120BKFRA / RQ3xxx0BxFRA / RD3x0xxBKHRB - ...

【三安光电：湖南三安SiC MOSFET已在新能源汽车客户处验证】三安光电在互动平台表示，湖南三安针对车规级市场的SiC MOSFET已在重点新能源汽车客户处导入可靠性验证。与理想汽车成立的合资公司苏州斯科半导体一期产线实现通线，全桥功率模块C样已交付，预计将在今年下半年完成产品验证，2025年有望迎来模块批量生产。

此外，Rohm通过在DFN2020Y7LSAA封装中采用可润湿侧翼技术和在TO-252封装中采用鸥翼引线，进一步提高了安装可靠性。 新款MOSFET的推出，标志着罗姆在应对汽车市场日益增长的安全性和经济性需求方面迈出了坚实的一步。尤其是对于那些寻求提高车辆性能、延长电池 ...

EG3002 是一款单通道高性价比的功率 MOSFET 管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、快速比较器、SD 快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率 MOSFET 管驱动器。EG3002 电源电压 ...

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在解答关于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的问题时，特别是针对P沟道、100 A、60 V的MOSFET，我们需要关注几个关键参数：沟道类型（P沟道或N沟道）、最大连续漏极电流（id）、以及最大漏源电压（vds）。这些参数对于理解和选择适合特定应用的MOSFET至 ...

LED矩阵管理器可以高效管理矩阵和像素照明的电流，发挥着至关重要的作用。该器件通常使用6到12个集成开关控制LED电压（高达65 V），从而简化设计并节省时间。其集成的MOSFET额定电压在5 V至14 V之间，具有低导通电阻RDS ...