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搜狐
8 天
【奥伟斯科技】MOS是什么?CMOS反相器电路结构及工作原理
CMOS 不是半导体器件的名称,它仅仅是指将 PMOS 和 NMOS 组合在一起的电路。这两种类型的场效应管在电路中互补工作,形成逻辑门电路等数字电路的基本单元。 CMOS 的电路方式具有省电且能够高速运行的特点,因此成为了现代半导体器件的基本结构。 2. CMOS 的 ...
21ic
8 天
N型MOS管的工作原理是什么?为什么PMOS的闪烁噪声低于NMOS
这就是为什么PMOS的闪烁噪声通常低于NMOS的原因。总的来说,正如一项报告指出的那样,PMOS锥形缓冲层结构是“在模拟电路中既实现了高品质”的的决定性因素,提示该技术正在被广泛用于数字电路和模拟电路中。尽管PMOS的闪烁噪声比NMOS低,但在实际应用中 ...
证券之星 on MSN
1 天
帝奥微获得发明专利授权:“一种适用于多电源系统的测试模式接口 ...
证券之星消息,根据天眼查APP数据显示帝奥微(688381)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种适用于多电源系统的测试模式接口电路及其控制方法”,专利申请号为CN202411419357.3,授权日为2024年12月24日。
电子工程专辑
14 天
大功率电路负载电流驱动中,为什么都是用NMOS并联,而不是PMOS呢?
我们都知道,MOSFET按工作模式可以分为PMOS(P沟道金属氧化物半导体)和NMOS(N沟道金属氧化物半导体)晶体管,这些晶体管由四个部分组成:源极 (S) 、漏极 (D) 、栅极 (G)和衬底(体),PMOS和NMOS 晶体管用作压控开关或放大,根据栅极电压控制源极和漏极之间的 ...
腾讯网
7 天
IEDM 70周年|半导体行业过去六十年是如何不断创新的?
芝能智芯出品在IEDM 70周年纪念大会上,英特尔的“晶体管先生”塔希尔·加尼博士分享了半导体行业过去六十年来的创新历程。从 1965 - 2005 年摩尔定律与登纳德缩放定律结合开启计算黄金时代,到 2005 ...
搜狐
16 天
无锡靖芯推出创新LDO芯片电流折返点调整专利,提升电流控制效率
其基本步骤包括: 设计基础电路结构:在设计中引入限流控制电阻R3,这是核心的电路元素。 引入PMOS管:通过选择合适的PMOS管并将其并联于电阻R3的两端,以实现对电流的智能控制。这一PMOS管可以根据采样电流的大小自动导通或关闭,从而在短路发生时分担 ...
什么值得买 on MSN
2 天
半导体未来三大支柱:先进封装、晶体管和互连
半导体未来三大支柱:先进封装、晶体管和互连,晶体管,英特尔,摩尔,半导体,栅极 ...
14 天
用4200A和矩阵开关搭建自动智能的可靠性评估平台
Clarius软件中增强的应力测量循环可以轻松设置CHC测试。结合交互式测试界面、公式工具和强大的图形功能,Clariu软件使4200A-SCS成为评估器件可靠性参数的理想工具,如CHC诱导的MOSFETs退化,以及它在器件表征中更广为人知的作用。
EDN电子技术设计
14 天
用4200A和矩阵开关搭建自动智能的可靠性评估平台
这种通道热载流子诱导的退化(也称为HCI或热载流子注入)在NMOS和PMOS器件上都可以看到 ... zyXednc 设置应力条件 在4200A-SCS软件的吉时利Clarius版本中增强的功能之一是项目树结构中可以增加一个应力循环,可以施加电压和电流应力。用户可以利用应力循环在 ...
来自MSN
15 天
为埃米时代开始准备, imec提出双列CFET结构推动7埃米制程
Imec从一项比较不同标准单元结构的设计技术协同优化 (DTCO ... 该组件具备直接连接到底部pMOS组件源极/汲极的晶背接点。我们利用极紫外光 (EUV) 晶背图形化技术实现了这点,该图形化技术确保了晶背的功率和信号布线稠密,还能紧密叠对 (精度小于3 ...
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