我们都知道，MOSFET按工作模式可以分为PMOS（P沟道金属氧化物半导体）和NMOS（N沟道金属氧化物半导体）晶体管，这些晶体管由四个部分组成：源极 (S) 、漏极 (D) 、栅极 (G)和衬底（体），PMOS和NMOS 晶体管用作压控开关或放大，根据栅极电压控制源极和漏极之间的 ...

如下图：上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约为Vbat-0.6V，而栅极G的电位为0，MOS管的开启电压极为：Ugs = 0 -（Vbat-0.6），栅极表现为低电平，PMOS的ds导通，寄生二极管被短路，系统通过PMOS的ds接入形成回路。 若电源接反，NMOS的导通 ...

近日，中国科学院上海药物研究所郑明月团队开发出基于生成式AI的蛋白-配体复合物结构预测方法SurfDock。这一方法利用蛋白质表面信息构建几何扩散神经网络，高精度自动生成配体结合构象，并应用于基于结构的虚拟筛选。相关研究成果以SurfDock is a surface ...