近日，三星电子官方宣布已开始批量生产第九代QLC V-NAND闪存芯片，每个芯片的容量为1Tb（相当于128GB）。值得注意的是，仅在四个月前，三星才开始量产了同一代的TLC V-NAND闪存。这次的新产品采用了多项创新技术。

IT之家 9 月 12 日消息，三星电子今日宣布，三星首款 1 太比特四层单元（QLC）第九代 V-NAND 已正式开始量产，而 1Tb TLC 产品已于今年 4 月开始量产。

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LONDON, Sept. 5, 2024 /PRNewswire/ -- 5G RedCap was finalized in the 3GPP's Release 17 to provide device OEMs with a migration pathway from 4G LTE to 5G for mid-range devices, whose throughput require ...

对于现场仪表、便携式医疗设备、资产监控等应用中的电池供电设备，实际信号的精密测量是一个关键的差异化因素。传统上，为了实现最高精度，设计人员需要在能效比方面作出重大让步，进而影响低功耗应用的可用性能。 本研讨会将说明工程师如何在精密 ...

三星此前已经宣布开始量产第9代V-NAND闪存，首批提供的是容量为1Tb的TLC闪存，进一步增强了自身在闪存市场的竞争力。现在三星宣布启动第9代V-NAND闪存当中1Tb容量的QLC闪存，进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。

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IT之家援引官方新闻稿，Rambus 公司的 HBM4 控制器 IP 不仅支持 JEDEC 规范中的 6.4 Gbps 传输速率，还能支持 最高 10 Gbps 的数据传输速率 ，为每个内存设备提供 2.56 太字节每秒（TB/s）的数据吞吐量。

“在距上次TLC版本量产仅四个月后，QLC第九代V-NAND产品成功启动量产，使我们能够提供，能够满足人工智能时代需求的完整阵容的SSD解决方案。”三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi ...

Cortex®-M4 Flash microcontrollers with a great choice of peripherals. ST has also extended this range to include an ultra-low-power MCU platform）[1] 。按内核架构分为不同产品： 其中STM32F系列有：STM32F103“增强型”系列STM32F101 ...

四是低功耗设计(Low-Power Design)。 降低了驱动NAND存储单元所需的电压，只感测必要的位线(Bit Line)，数据读取功耗约分别下降了约30％、50％。 三星第九代QLC V-NAND闪存将首先用于消费电子产品，然后逐步在UFS、PC、服务器领域铺开。