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ST华微涨0.31%,中期趋势方面,上方有一定套牢筹码积压。近期该股获 ...
9月24日,ST华微(维权)涨0.31%,成交额1.04亿元,换手率3.33%,总市值31.50亿元。 根据AI大模型测算ST华微后市走势。短期趋势看,该股当前无连续增减仓现象,主力趋势不明显。主力没有控盘。中期趋势方面,上方有一定套牢筹码积压。近期该股获筹码青睐,且集中度渐增。舆情分析来看,目前市场情绪极度悲观。 异动分析 汽车芯片+芯片概念+汽车电子+军工+华为概念 1、公司在汽车芯片领域致力 ...
搜狐
1 天
EG3002 单通道功MOSFET驱动芯片
EG3002 是一款单通道高性价比的功率 MOSFET 管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片,内部集成了输入逻辑信号处理电路、快速比较器、SD 快速关断处理电路及大电流输出驱动电路,专用于电源转换器及电机控制器等的功率 MOSFET 管驱动器。EG3002 电源电压 ...
腾讯网
2 天
国内12家功率半导体上市公司对比分析
欢迎关注下方公众号阿宝1990,本公众号专注于自动驾驶和智能座舱,每天给你一篇汽车干货,我们始于车,但不止于车。本文筛选了功率半导体行业内12家上市公司,对12家公司和产品进行了介绍,对功率半导体相关的营收、毛利率情况进行了拆分对比,对扣非净利润、研 ...
搜狐
4 天
MOSFET, P沟道, 100 A, 60 V
在解答关于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的问题时,特别是针对P沟道、100 A、60 V的MOSFET,我们需要关注几个关键参数:沟道类型(P沟道或N沟道)、最大连续漏极电流(id)、以及最大漏源电压(vds)。这些参数对于理解和选择适合特定应用的MOSFET至 ...
来自MSN
4 天
宽禁带半导体挺进AI数据中心
图为英飞凌员工展示300mm氮化镓功率半导体晶圆技术 近期,汽车芯片市场走势低迷引起宽禁带半导体市场震荡不断,持续高涨的AI市场成了宽禁带半导体企业的救命稻草。英飞凌、德州仪器、纳微半导体、瑞萨、宜普等领军企业纷纷调整布局,将目标投向AI数据中心。
凤凰网
21 天
4年自主研发!中国实现芯片制造关键技术首次突破
原标题:我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术:历时 4 年自主研发,打破平面型芯片性能“天花板” IT之家 9 月 3 日消息,“南京发布 ...
新浪网
21 天
8种开关电源MOS管的工作损耗计算
Coss 为 MOSFET 输出电容,一般可等于 Cds ,此值可通过器件规格书查找得到。 7、体内寄生二极管正向导通损耗Pd_f 体内寄生二极管正向导通损耗 ...
eeworld.com.cn
22 天
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术
性能比平面工艺MOSF MOSFET即金属氧化物半导体场效应管,是电路设计中常用的功率开关器件,为压控器件;其特点是用栅极电压来控制漏极电流,具备驱动电路简单,驱动功率小,开关速度快,工作频率高、热稳定性高于GTR等优点。按导电沟道功率MOSFET可分为P沟道 ...
电子工程专辑
25 天
八张图看懂IGBT,附国内IGBT企业!
功率半导体是半导体行业的细分领域,虽不像集成电路一样被大众熟知,但其重要性不可忽视。IGBT是功率半导体的一种,作为电子电力装置和系统中的“CPU”,高效节能减排的主力军。 回顾IGBT的技术发展,IGBT主要经历了7代技术及工艺改进。 新能源汽车的成本 ...
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