12月30日消息，韩媒The Bell当地时间26日报道称，三星电子正准备启动一种采用传统结构的1e ...

IT之家 12 月 30 日消息，韩媒 the bell 当地时间 26 日报道称，三星电子准备启动采用常规结构的 1e nm（IT之家注：即第 8 代 10 纳米级）制程 DRAM， 实现先进内存开发多轨化，为未来可能的商业化提供更丰富技术储备 。

12 月 30 日消息，韩媒 the bell 当地时间 26 日报道称，三星电子准备启动采用常规结构的 1e nm（注：即第 8 代 10 纳米级）制程 DRAM， 实现先进内存开发多轨化，为未来可能的商业化提供更丰富技术储备 。

近日，韩媒The Bell报道称，三星电子计划重启1e nm（即第8代10纳米级）制程DRAM的开发，意味着在内存技术上将采取多元化的探索路线。此次动作为三星在未来商业化方面铺平了道路，增加了技术储备的多样性，进而为市场带来新的活力。这一决定源于三星前任存储器业务负责人李祯培在今年9月展示的战略路线图以及10月《韩国经济日报》的相关报道。 三星原有的技术路线计划在2026年推出1d nm内存，随后 ...

【消息称三星电子准备采用常规结构的1e nm DRAM内存】《科创板日报》30日讯，三星电子准备启动采用常规结构的1e nm制程DRAM，实现先进内存开发多轨化，为未来可能的商业化提供更丰富技术储备。据悉，1e nm DRAM有望于2028年推出。

MINI Malaysia 宣布全新 2025 MINI Countryman S ALL4 正式上市，这款汽油版车型将与纯电版 Countryman SE ALL4 和 John Cooper Works Countryman 一起扩充 ...

在科技界，一度有关于芯片工艺极限的广泛讨论，许多专家预测，当技术推进至2纳米（nm）时，可能已逼近物理学的极限，难以再有突破。然而，这一看法近期被ASML公司的一份报告所挑战。

近日，学术权威期刊 《自然》 评选、发布了19张“2024年度最佳科学图片”（The best science images of 2024 — Nature’s picks）。 东南大学田磊研究员的科研成果 ...

海归学者发起的公益学术平台分享信息，整合资源交流学术，偶尔风月在过去十年，大量的研究工作聚焦于横向自旋电流以及由此产生的自旋轨道矩（SOT），以此作为高效磁翻转的替代技术，从而克服自旋转移矩电荷和自旋电流共享同一通路的不足。最具代表性的SOT结构是铁 ...

IT之家12 月 30 日消息，韩媒 the bell 当地时间 26 日报道称，三星电子准备启动采用常规结构的 1e nm（IT之家注：即第 8 代 10 纳米级）制程 DRAM，实现先进内存开发多轨化，为未来可能的商业化提供更丰富技术储备。 结合三星前任存储器业务负责人李祯培今年 9 月 ...

巴西IBOVESPA股指 中表现最好的股票为Companhia Brasileira De Distribuica (BVMF: PCAR3 )，上涨1.06%（0.03点），收盘报价为2.85。同时，SAO MARTINHO ON NM (BVMF ...

12月19日，“2024中国商用车及零部件行业可持续发展大奖”颁奖典礼在上海国际会议中心如期举行，菲亚特动力科技凭借其卓越的绿色创新能力和在商用车电气化领域的杰出贡献，荣获了“ 绿色创新卓越奖 ...