摘 要: 使用金属镍诱导非晶硅晶化(MIC:metal2induced crystallization) 技术,获得了低温( < 550 ℃) 多晶硅. 通常 在镍覆盖区以外的晶化硅更加有用,这一技术被称为金属诱导横向晶化(MILC:metal2induced lateral crystallization) 技术.
金属诱导晶化基础与应用研究进展 - ams.org.cn
将非晶半导体与金属相接触，可以诱导非晶半导体在极低的温度下结晶，这一现象被称为金属诱导晶化。 薄膜状态的晶体半导体是用于众多先进技术中的关键材料，被广泛应用于微电子、光电子、显示技术和光伏技术等领域。
金属诱导晶化基础与应用研究进展
将非晶半导体与金属相接触，可以诱导非晶半导体在极低的温度下结晶，这一现象被称为金属诱导晶化。薄膜状态的晶体半导体是用于众多先进技术中的关键材料，被广泛应用于微电子、光电子、显示技术和光伏技术等领域。
金属横向诱导法(MILC) - 百度百科
但是MILC目前它的晶化速率仍然不高，并且随着热处理时间的增长速率会降低。. 我们采用MILC和光脉冲辐射相结合的方法，实现了a-Si薄膜在低温环境下快速横向晶化。. 得到高迁移率、低金属污染的多晶硅带。. 2 无反光镜可交换镜头相机 (MILC) 20世纪90年代初发现a ...
550 ℃金属诱导横向晶化后,非晶硅分成明显的三个 区域:其一是最初被ni 覆盖的地方(区域b) ,相对 颜色最深;围绕其周边的(区域c) 是相对最亮的区 域,其外边紧接着是一个较灰的区域(区域a) . 根据 后面的显微喇曼分析可知,a ,b ,c 三个区域分别对
Characterization of the MIC/MILC interface and its effects on the ...
Abstract: Process and material characterization of the crystallization of amorphous silicon by metal-induced crystallization (MIC) and metal-induced lateral crystallization (MILC) using evaporated Ni has been performed. An activation energy of …
属诱首先用低压化学气相沉积(LPCVD)的方法在导横向晶化(MILC)[5]等技术. 采用MILC技术制备单晶硅(c Si)衬 底或玻璃衬底上分别沉积约100 nm的多晶硅薄膜材料虽然还存在一些问题,但鉴于其的低温氧化物(LTO,Low Temperature Oxide,本文为工作温度较低、. 备投入较少、可 批 ...
提出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管(LT-MIUC poly-Si TFT) 的技术. 使用该技术可在 大面积廉价玻璃衬底上制备出高迁移率、低漏电电流、具有较好均匀性的多晶硅器件.
横向晶化制备多晶硅薄膜和薄膜晶体管（SILC）。 该技术有望在不附加其他工艺的基础上能减少沟 道区多晶硅中的镍，从而有效地降低晶体管的漏
现在,可以通过固相晶化(SPC: solid2phase crystallization) 、准分子激光晶化( ELC: excimer laser crystallization) 和金属诱导横向晶化 ( MILC: metal2induced lateral crystallization) 等多种技术途径获得大晶粒的多晶硅材料。
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