结型场效应管（JFET） - 知乎专栏
1.结型场效应管的概述（JFET）：结型场效应管基本结构（JFET）： 这里提示一下N沟道和P沟道的图像画法（不要搞混了） 2.结型场效应管的工作原理（以N沟道为例）（JFET）： 注意这里UGS是反向电压，所以小于0，Up是…
结型场效应晶体管 - 百度百科
结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）：JFET是由p-n结栅极 (G)与 源极 (S)和漏极 (D)构成的一种具有放大功能的三端 有源器件。 其工作原理就是通过电压改变沟道的 导电性 来实现对输出电流的控制。 对于结型场效应晶体管（JFET），最常见到的是耗尽型JFET（D-JFET），即在0 栅偏压 时就存在有沟道 的JFET；一般，不使用增强型JFET（E-JFET）——在0栅偏压时不存在沟道 的JFET。 这主要是由于长沟道E-JFET在使用时较难以产生出导电的沟 …
结型场效应管 - 维基百科，自由的百科全书
结型场效应管 （JFET，英語： junction gate field-effect transistor）是单极 场效应管 中最简单的一种。 它可以分 n 沟道（n-channel）或者 p 沟道（p-channel）两种。 在下面的论述中主要以 n 沟道结型场效应管为例，在 p 沟道结型场效应管中 n 区和 p 区以及所有电压正负和电流方向正好颠倒過来。 n 通道结型场效应管由一个被一个 p 型 掺杂 （阻碍层）环绕的 n 型掺杂组成。 在 n 型掺杂上连有汲极（也称漏极，来自英语 Drain，因此也称 D 极）和源极（来自英语 Source，因此 …
结型场效应管(JEFT)原理与特性-CSDN博客
在本次北京邮电大学的实验6中，学生将深入理解和掌握场效应晶体管（jfet）的cs（共源）放大电路的基本构造、工作原理和测试方法。 实验的核心是通过实际操作和仿真来熟悉JFET的主要参数，以及如何运用这些参数计算和...
场效应管（FET）分类、符号、特性曲线 - CSDN博客
2017年8月28日 · 场效应管分结型（jfet）、绝缘栅型(mosfet)两大类。 按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
初级模拟电路：6-2 JFET的工作原理 - 知乎 - 知乎专栏
JFET （结型场效应管， Junction Field Effect Transistor）的构造比较简单，曾经是一种主力的FET器件。 不过近年来用得比较少了，其分立应用场景已日渐被MOSFET所取代，主要原因之一是它需要使用 负电压 来进行偏置，使得电路设计起来不太方便和直观。 不过，由于其构造简单，很适合用来入门理解场效应管的工作原理，很多关于FET的基本名词最初都是由JFET产生的，因此需要好好掌握。 JFET的主要原理是通过外加电场来控制器件内部pn结的宽度，进而达到控制器 …
场效应晶体管类型解析-CSDN博客
2016年2月26日 · 耗尽型场效应晶体管（d-fet）就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的fet；增强型场效应晶体管（e-fet）就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的fet。 这两种类型的FET各有其特点和用途。
增强型场效应晶体管 - 百度百科
增强的结型场效应晶体管（E-JFET）有长沟道和短沟道两种不同的结构。 长沟道E-JFET与长沟道耗尽的结型场效应晶体管（D-JFET）的不同点就在于：增强型的原始沟道较窄、掺杂浓度较低，使得在栅电压为0时沟道即被夹断，只有加上正栅偏压 (必须小于0.5V) 时才产生沟道而导电；输出伏安特性仍然为饱和特性。 长沟道E-JFET通常不采用，但在高速和低功耗场合也有一定的用处。 短沟道E-JFET 实际上也就是静电感应晶体管（SIT），它的原始沟道既窄又短，在栅电压为0时 …
什么是结型场效应晶体管？结型场效应晶体管都有那些特点？
结型场效应晶体管 (Junction Field-Effect Transistor，JFET):JFET是由p-n结栅极 (G)与源极 (S)和漏极 (D)构成的一种具有放大功能的三端有源器件。 其工作原理就是通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流的控制。 对于结型场效应晶体管 (JFET)，最常见到的是耗尽型JFET (D-JFET)，即在0栅偏压时就存在有沟道 的JFET;一般，不使用增强型JFET (E-JFET)--在0栅偏压时不存在沟道 的JFET。 这主要是由于长沟道E-JFET在使用时较难以产生出导电的沟道、从而导通性能不好 …
什么是结型场效应晶体管？结型场效应晶体管都有那些特点？ - 知乎
对于 结型场效应晶体管 (JFET)，最常见到的是耗尽型JFET (D-JFET)，即在0栅偏压时就存在有沟道 的JFET;一般，不使用增强型JFET (E-JFET)--在0 栅偏压 时不存在沟道 的JFET。 这主要是由于长沟道E-JFET在使用时较难以产生出导电的沟道、从而导通性能不好的缘故。 不过，由于高速、低功耗电路中应用的需要，有时也需要采用E-JFET。 JFET导电的沟. 结型场效应晶体管 (Junction Field-Effect Transistor，JFET)JFET是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们 …